독일 반도체 장비업체 아익스트론(Aixtron SE, ETR:AIXA)의 주가가 월요일 15.1% 급등했다. 미국 헤지펀드 커리스데일 캐피털(Kerrisdale Capital)이 이 종목에 대해 롱 포지션(매수·상승 베팅)을 공개하며, 아익스트론을 “업계에서 가장 전략적으로 중요한 기업 중 하나”라고 평가한 데 따른 반응이다.
2025년 11월 3일, 인베스팅닷컴의 보도에 따르면, 커리스데일은 아익스트론을 “시장 내 가장 과소평가된 AI 수혜주”로 규정했다. 시가총액 약 18억 달러 규모인 아익스트론은 MOCVD(금속유기화학증착) 장비를 제조해 복합반도체 생산을 지원하는 기업으로, 커리스데일은 이 회사가 대부분의 제품 포트폴리오에서 시장점유율 70~90%※ 커리스데일 평가를 확보하고 있다고 강조했다.
커리스데일은 아익스트론을 “시장 내 가장 과소평가된 AI 수혜주”로 지칭하며, “업계에서 가장 전략적으로 중요한 기업 중 하나”라고 밝혔다.
커리스데일의 강세(불리시) 논지는 AI 확산으로 촉발된 데이터센터의 두 핵심 과제—전력(power)과 연결성(connectivity)—을 해결하는 데 있어 아익스트론이 수행하는 필수적 역할에 초점을 맞춘다. 특히 헤지펀드는 엔비디아(Nvidia)가 제안한 800V 데이터센터 전력 아키텍처를 뒷받침하려면 GaN(질화갈륨)과 SiC(탄화규소) 기반 반도체가 사실상 유일한 대안이라고 지적했으며, 이들 소재의 생산에는 아익스트론의 MOCVD 장비가 핵심이라고 밝혔다.
커리스데일은 또, 이번 급등 이전 아익스트론 주가가 최근 수년 내 저점권에 머물렀다는 점을 상기시키며, 앞으로 회사가 “역사상 가장 강력하고 다면적인 성장 사이클”을 맞이할 것이라고 전망했다. 구체적으로 2028년 EBITDA 전망치 대비 90% 이상 상향 여지를 제시하면서, 향후 18개월 내 수요와 매출이 급증하기 시작해 연 매출이 10억 달러를 상회할 수 있다고 내다봤다.
밸류에이션 측면에서도 커리스데일은 아익스트론이 유사 반도체 장비 업체군 대비 40~70% 낮은 할인 구간에서 거래되고 있다고 평가했다. 더불어 2028년 주당순이익(EPS) 약 €2.00 창출 가능성을 제시하며, “멀티배거(multi-bagger) 수익”의 잠재력까지 언급했다. 이러한 서술은 아익스트론이 단순한 경기민감 장비주를 넘어, AI 인프라 전환의 핵심 수혜 업종에 자리 잡을 수 있다는 투자 논리를 강화한다.
다만 커리스데일은 데이터센터 애플리케이션 관련 매출 가시화가 2027년부터라는 점을 분명히 했다. 현재 회사는 전기차(EV) 부문 수요 둔화에 따른 업사이클 공백을 겪고 있어 단기 실적은 순환적 변동의 영향을 받을 수 있다. 그럼에도 불구하고 장기 관점에서의 구조적 성장 촉매—특히 GaN·SiC 전력반도체 채택 확대—가 향후 실적의 체질 개선을 이끌 것이라는 시각이 강세 논지의 핵심이다.
핵심 인용 및 수치 요약
• 주가 반응: 월요일 15.1% 급등
• 기업 규모: 시가총액 약 18억 달러
• 경쟁력: 제품군 다수에서 점유율 70~90%
• 설비 의존성: GaN·SiC 생산에 아익스트론 장비 필수
• 데이터센터 전력: 엔비디아 800V 아키텍처 지원 가능 소재는 GaN·SiC
• 실적 가시성: 데이터센터 매출 2027년부터
• 재무 전망: 2028년 EBITDA 대비 90%+ 업사이드, EPS 약 €2.00 가능성, 연 매출 10억 달러 상회 잠재력
• 밸류에이션: 유사 장비업 대비 40~70% 할인
배경 및 기술 맥락
MOCVD는 ‘금속유기화학증착(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)’의 약어로, 기판 위에 화합물을 화학 반응으로 증착해 고품질의 화합반도체 박막을 형성하는 공정이다. GaN과 SiC는 각각 질화갈륨과 탄화규소로, 고전압·고주파·고온 환경에서도 성능을 유지하는 특성 덕분에 전력반도체 및 고속 통신용 소자에 적합하다. AI 기반 워크로드가 폭증하면서 데이터센터의 전력 효율 최적화와 고속 연결 요구가 급격히 커졌고, 이 수요가 전력반도체 소재 전환을 자극하고 있다.
커리스데일이 언급한 엔비디아의 800V 전력 아키텍처는 데이터센터 전력망에서 손실을 줄이고 효율을 높이는 설계 제안으로, 이 고전압 체계는 실리콘(Si) 기반 소자보다 GaN·SiC 기반 전력 소자에서 성능상의 이점이 크게 나타난다. 이 때문에 MOCVD 장비의 공정 정밀도와 수율은 곧바로 고객의 비용·성능 곡선에 연결되며, 커리스데일이 “아익스트론의 도구가 필수적”이라고 평가한 배경과 맞닿아 있다.
아익스트론의 포지셔닝을 수치로 요약하면, 제품 포트폴리오 전반에서 70~90%의 시장점유율이 거론된다. 이러한 높은 점유율은 ‘장비 표준화’와 ‘공정 신뢰성’의 산물로 읽히며, 대규모 AI 인프라 전환기에는 고객이 장비 교체 리스크를 낮추기 위해 검증된 공급자를 선호하는 경향이 강화된다.
밸류에이션과 성장 경로
커리스데일은 아익스트론이 유사 반도체 장비업 대비 40~70% 할인에 거래된다고 지적했다. 이는 단기 업황 둔화(특히 EV 수요 관련)와 데이터센터 매출의 본격화가 2027년에야 도래한다는 시간차가 반영된 결과로 해석된다. 그러나 헤지펀드는 2028년 EBITDA 기준 90% 이상의 상향 여지, 2028년 EPS 약 €2.00, 연 매출 10억 달러 상회 가능성을 제시하며, 멀티배거 잠재력까지 거론했다.
이러한 가정이 실현되기 위해서는 두 가지 전제가 중요하다. 첫째, AI 데이터센터 전력·연결성 수요가 계획대로 확대되어 GaN·SiC 장비 발주가 증가해야 한다. 둘째, 아익스트론이 생산능력(capacity)·납기(lead time)·공정 성능(yield)을 안정적으로 유지·개선해 고객 전환 비용을 최소화해야 한다. 커리스데일은 “향후 18개월”을 수요 전환의 출발점으로 지목했다.
리스크 시나리오와 체크포인트
기사 원문에 따르면, 데이터센터 관련 매출은 2027년에야 가시화될 전망이다. 그 전까지는 EV 수요 둔화의 순환적 타격이 실적에 부담으로 작용할 수 있다. 또한 800V 전력 아키텍처의 채택 속도, 고객사의 투자 타이밍, 경쟁사의 공정 혁신 등은 실행 리스크로 남는다. 그럼에도 커리스데일은 아익스트론의 장비 의존성과 점유율, 공정 중요도를 근거로 중장기 성장 논리를 구성하고 있다.
핵심 용어 설명
• MOCVD: 금속유기 화합물을 이용해 기판 위에 박막을 증착하는 공정. LED, 전력반도체, RF 소자 등 화합반도체 생산에 필수적이다.
• GaN(질화갈륨): 고전압·고주파에서 효율이 높아 전력변환기, 고속충전기, 데이터센터 전력 모듈 등에 적합.
• SiC(탄화규소): 고온·고전압에서 손실이 적어 EV 인버터, 산업용 전력장치, 데이터센터 전력 장비에 활용.
• EBITDA: 이자·세금·감가상각·무형자산상각 전 영업이익으로, 현금흐름 창출력을 가늠하는 지표.
• 멀티배거: 투자원금의 여러 배 수익을 의미하는 시장 용어.
• 800V 아키텍처: 전력 전송 시 손실을 줄이고 효율을 높이기 위한 고전압 체계. 데이터센터의 에너지 밀도와 효율 향상에 기여.
정리
요약하면, 커리스데일 캐피털은 아익스트론을 AI 데이터센터 전력·연결성 전환의 핵심 수혜주로 평가하며, 시장점유율 70~90%, 2028년 EBITDA 90%+ 업사이드, EPS 약 €2.00, 연 매출 10억 달러 상회 가능성을 제시했다. 밸류에이션 할인(동종 대비 40~70%)과 데이터센터 매출 2027년 본격화라는 시간차가 공존하지만, 장비 의존성과 소재 전환이라는 구조적 테마가 강세 논리를 받쳐 준다. 이러한 논지 공개 직후 아익스트론 주가는 15.1% 상승하며 시장의 관심을 집중시켰다.
