요지 — 나비타스 반도체(Navitas Semiconductors, NASDAQ: NVTS)는 2025년 한 해 동안 주가가 정확히 100% 상승하며 소형 반도체 설계업체에서 고전력 데이터센터용 전력반도체로의 전환 기대엔비디아(Nvidia, NASDAQ: NVDA)가 자사 차세대 고전압(800V) 데이터센터 아키텍처 파트너 후보로 나비타스를 명시한 것이 계기다.
2026년 1월 14일, 나스닥닷컴의 보도에 따르면, S&P Global Market Intelligence의 집계에서 나비타스 주식은 2025년에 정확히 2배(100%) 상승했다. 나비타스는 2025년 초까지 주로 중국 모바일 단말기용 전력 반도체를 설계하는 저성장·적자 상태의 소형 기업으로 평가받았다.
배경 및 전환의 계기 — 엔비디아는 2025년 5월 20일 블로그 포스트에서 메가와트급 서버랙을 구동하기 위한 새로운 800볼트(800V) 데이터센터 아키텍처의 필요성을 제시했다. 엔비디아는 해당 아키텍처를 2027년까지 도입할 계획이며, 단일 랙에 576개의 Rubin Ultra 칩을 탑재한 랙 설계명은 ‘Kyber’라고 명시했다. 이 공개에서 엔비디아는 다수의 전력 반도체 업체를 차세대 설계의 잠재적 파트너로 거명했고, 그 목록에 나비타스가 포함되며 투자자들의 관심이 집중됐다.
자금 조달 및 재무 현황 — 엔비디아의 언급 이후 나비타스는 주가 상승을 활용해 자본을 신속히 확충했다. 연중 두 차례에 걸쳐 총 2억 달러(첫 번째는 공모형태로 1억 달러, 두 번째는 사모 형태로 1억 달러)를 조달했다. 회사는 11월 추가 자금조달 이전에 이미 대차대조표상 현금이 1억 5천만 달러 초과였으므로, 연말 기준으로 현금성 자산이 약 2억 5천만 달러 수준이고 무차입 상태인 것으로 보인다.
회사는 엔비디아의 800V 데이터센터 수요에 대응하기 위해 중·고전압의 갈륨 나이트라이드(GaN) 및 실리콘 카바이드(SiC) 소자에 대해 ‘진전(progress)’을 보이고 있다
실제로 나비타스는 100V 및 650V 등급의 GaN 칩 설계과 함께 데이터센터용 SiC 제품군 ‘GeneSic’을 공개했다. 이 발표가 나온 당일 나비타스 주가는 26% 급등했는데, 이는 5월 엔비디아 발표 이후 가장 큰 일일 상승이었다.
경영진 교체와 전략적 전환 — 나비타스는 2025년 8월 이사회를 통해 크리스 알렉산드르(Chris Allexandre)를 신임 CEO로 선임했다. 알렉산드르는 전력 및 자동차용 반도체 분야에서의 경력이 깊은 인물로, 창업자 진 셰리던(Gene Sheridan)을 대신해 회사의 전략적 전환을 가속화할 임무를 맡았다. 알렉산드르 취임 직후인 약 한 달 뒤, 회사는 앞서 언급한 중·고전압 GaN 및 SiC 제품의 ‘진전’을 공시했다.
실적과 리스크 — 주가의 급등에도 불구하고 실적은 아직까지 주가 움직임을 뒷받침하지 못한다. 나비타스는 3분기에 매출 1,000만 달러를 기록했으며 4분기 가이던스로는 700만 달러를 제시했다. 알렉산드르는 기존 레거시(legacy) 사업의 자원을 일부 축소하고 신사업(데이터센터용 전력반도체)에 자원을 재배치하고 있음을 밝혔다. 회사는 2026년에 매출이 성장세로 전환될 것으로 전망하고 있으나, 해당 전망은 엔비디아의 아키텍처 보급 시기(2027년 이후) 및 나비타스가 실질적 공급업체로 선정되는지 여부에 크게 좌우된다.
기술적 설명: GaN과 SiC란? — 갈륨 나이트라이드(GaN)와 실리콘 카바이드(SiC)는 전력 반도체에 널리 사용되는 화합물 반도체 재료다. GaN은 고주파·고효율 스위칭에 유리하여 충전기·모바일 전력소자에서 이점이 크고, SiC는 고전압·고온·고출력 환경에서의 손실이 적어 전력 변환기와 전기차용 인버터 등 대전력 응용에 적합하다. 데이터센터의 고전압 아키텍처에는 SiC의 특성이 특히 유용할 수 있다.
투자 관점 및 향후 영향 분석 — 나비타스의 사례는 기술 파트너십 기대가 소형 기업의 밸류에이션과 재무구조(자본조달)를 급변시킬 수 있음을 보여준다. 그러나 다음과 같은 리스크 요인도 존재한다.
1) 엔비디아 채택 리스크: 엔비디아의 800V 설계는 아직 시장 도입 전이며, 나비타스가 최종 공급사로 확정되지 않을 경우 주가의 하방 리스크가 크다.
2) 타임라인 리스크: 엔비디아가 필요로 하는 아키텍처 채용 시점은 2027년으로 제시돼 있어, 제품 상용화와 대량 공급까지의 기간 동안 기술적·공급망적 과제 발생 가능성이 존재한다.
3) 실적 갭: 2025년 실적은 여전히 낮아(3분기 매출 1,000만 달러, 4분기 가이던스 700만 달러) 투자 기대에 비해 실물 성과가 뒤처질 수 있다.
향후 주가 및 산업 영향에 대한 전망 — 시스템적으로 분석하면, 만약 엔비디아가 2027년 전후로 Kyber 랙 설계에 대한 대량 도입을 시작하고 나비타스가 주요 전력칩 공급사로 선택된다면, 나비타스의 매출 구조는 대폭 개선될 가능성이 있다. 이는 SiC 및 고전압 GaN 디바이스의 단가와 수율이 대량생산 체계로 전환되는 시점과 밀접하게 연동된다. 반대로 엔비디아가 다른 공급사를 선택하거나 800V 아키텍처의 상용화가 지연되면, 나비타스의 밸류에이션은 급격한 조정에 직면할 수 있다.
결론 — 나비타스는 2025년 엔비디아의 공개 언급을 계기로 시장의 관심을 대폭 환기시키며 주가를 두 배로 끌어올렸다. 회사는 2025년 중 총 2억 달러를 조달하고 약 2억 5천만 달러의 현금을 확보한 것으로 추정되며, 신임 CEO 크리스 알렉산드르를 중심으로 GaN·SiC 기반의 중·고전압 제품 포트폴리오 전환에 박차를 가하고 있다. 다만 현재 실적(분기 매출 수천만 달러 수준)과 엔비디아의 최종 벤더 선정 및 800V 아키텍처 도입 시기라는 외부 변수로 인해 투자 리스크는 여전히 높다. 투자자 관점에서는 단기 모멘텀(파트너 후보 지명, 제품 발표)에 기반한 주가 변동성이 크므로, 향후 제품 상용화 진행 상황과 엔비디아 등 주요 고객과의 실질적 공급계약 체결 여부를 면밀히 관찰할 필요가 있다.
